熔斷器的特點

時間：2022-09-24

作者：上海寅涵智能科技發展有限公司

詞條
詞條說明
IGBT模塊使用中的注意事項？
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模
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igbt功率模塊雙向可控硅BSM100GB60DLC 快速晶閘管
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